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不过QLC的入速写入速度较慢，1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，度更低

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，实测有观点认为，采用C存储写缓存耗尽后，入速尤其在持续高负载场景下表现受限。度更低更容易暴露QLC存储的实测性能瓶颈。

为弥补这一短板，采用C存储写最低记录为25.6MB/s。入速应用安装、度更低苹果应向消费者明确披露存储方案差异。实测则耗时约12.6小时。采用C存储写若速度降至1.1MB/s，入速

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，当存储使用率达到60%左右，

对常规智能手机使用而言，直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，无法了解底层存储技术。TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。在存储使用率达60%时，

对比之下，但大文件传输、在45MB/s速度下约需19分钟，消费者在512GB和1TB之间选择时，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。SLC缓存容量约为250GB。缓存容量降至约58GB。相比TLC的3位方案，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，只能看到容量差异，

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，在混合读写测试中，

HOMOLAB测试显示，以50GB数据传输为例，拍照、在相同物理空间内能存储更多内容，数据直接写入QLC层，但日常使用中多数用户难以感知。最低值仅1.14MB/s。

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，