比韩国存储双雄更早落地！长鑫秘密研发DRAM新技术：无需EUV光刻机

长江存储在NAND领域积累的比韩专利优势同样适用于DRAM战场。苹果正积极推动将长鑫存储纳入DRAM供应链，国存V光在400层以上超高层NAND必备的储双W2W混合键合工艺上，

HBM战场同样在加速，雄更鑫秘M新

报道称，早落长鑫存储无需EUV光刻机，地长长鑫存储还在向CXL 3.0 DRAM市场延伸。密研而长鑫存储将20%的技术产线转为HBM专用，完美绕过美国出口管制。无需良率和稳定性可能比预期更快步入正轨。刻机三星和SK海力士已进入HBM4主导权争夺，比韩仅靠DUV设备配合多重曝光工艺就能制造超高密度DRAM，国存V光每年亏损数千亿韩元，储双长鑫存储近日秘密启动了一条键合DRAM研发线，雄更鑫秘M新据韩国经济日报报道，早落首尔大学黄哲圣教授直言，长江存储以119件核心专利构筑了远超韩国企业的壁垒，提升传输速度并降低功耗，降低寄生电阻、而三星电子仅83件，同时不增加芯片横向面积。中国半导体产业将成为韩国未来最大的威胁。其独创的Xtacking架构已从160层量产到270层，

首尔大学教授崔宇永警告，目标是比韩国企业更早实现下一代存储技术的商用化。

此外，

键合DRAM是长鑫存储押注的核心突破口，部分下一代技术领域中国甚至已经反超。长鑫存储的DRAM全球市场份额已飙升至8%，

更关键的是，再通过晶圆对晶圆混合键合工艺直接贴合，但今年第一季度，

几乎同一时间，取消传统微凸点连接，

从DRAM份额飙升到键合DRAM技术突破，从HBM追击到NAND专利授权逆转，一旦华为等中国本土AI芯片厂商开始内采HBM积累实战经验，正在全力冲击HBM3和HBM3E。

7月6日消息，

三星电子为开发V10（430层）三堆叠NAND，